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MBR(F,B)25H35CT thru MBR(F,B)25H60CT
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Revision: 27-Jun-12
3
Document Number: 88789
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RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA
= 25
?C unless otherwise noted)
Fig. 1 - Forward Derating Curve (Total)
Fig. 2 - Maximum Non-Re
petitive Peak Forward
Surge Current Per Diode
Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics Per Diode
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance Per Diode
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
0
10
20
30
40
25
0
50
75 100 125 150 175
MBRF
MBR, MBRB
Average Forwar
d Current (A)
Case Temperature (°C)
1 10010
0
25
50
75
100
125
150
Number of Cycles
at 60 Hz
Peak Forwar
d
S
urge Current (A)
TJ
= T
J
Max.
s
Single Half Sine-Wave
8.3 m
0.01
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
1
10
100
TJ
= 150 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
Instantaneous
Forward Voltage (V)
In
s
tantaneou
s
Forward Current (A)
MBR25H35CT, MBR25H45CT
MBR25H50CT, MBR25H60CT
04020 10060
80
0.0001
0.001
0.1
0.01
1
10
100
TJ
= 150 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
In
s
tantaneou
s
Rever
s
e Leakage
Current (mA)
MBR25H35CT, MBR25H45CT
MBR25H50CT, MBR25H60CT
0.1 1
100
10
1000
100
10 000
Reverse Voltage (V)
Junction Cap
acitance (p
F)
MBR25H35CT, MBR25H45CT
MBR25H50CT, MBR25H60CT
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 mV
p-p
0.01 0.1
0.1
1
1
10
10
t - Pulse Duration (s)
Tran
s
ient Thermal Impedance (°C/W)
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